По сравнению с традиционными полупроводниковыми квантовыми точками, порог усиленного спонтанного излучения для пленок на основе нанопластинок CdSe/CdZnS наблюдается при более низких значениях. Нарушение симметрии в двумерных нанопластинках приводит к сохранению углового момента и снижает влияние Оже-рекомбинации. Модификация поверхности осуществлялась штампованием с использованием плоских штампов. Успешность модификации поверхности была доказана методами атомно-силовой микроскопии. Результаты оптических измерений методом переменной длины полосы накачки подтвердили усиление фотолюминесценции и снижение порогов усиленной спонтанной фотолюминесценции.
Азизов Р.Р. (науч. рук. Макаров С.В.) Импринтинг для усиления фотолюминесценции плёнок из нанопластинок CdSe/CdZnS // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2023]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/9838