В работе представлены результаты уменьшения паразитной амплитудной модуляции (ПАМ) в электрооптическом модуляторе путем облучения УФ излучением поверхности сегнетоэлектрического кристалла ниобата лития (НЛ). Представлены зависимости ПАМ от количества лазерных импульсов УФ диапазона и времени облучения.

Иванова Т.В., Шулепов В.А., Смирнова А.В. (науч. рук. Мухтубаев А.Б.) Влияние УФ излучения на паразитную амплитудную модуляцию электрооптического модулятора изготовленного на основе кристалла ниобата лития (Ti:LiNbO3) // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2022]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/9428