В работе получены кристаллы (AlxGa1-x)2O3 методом Чохральского. Проведено исследование качества полученных кристаллов методом рентгеновской дифракции, а также произведено исследование плотности дислокаций методом просвечивающей электронном микроскопии (ПЭМ).

Спиридонов В.А., Панов Д.Ю. (науч. рук. Романов А.Е.) ПОЛУЧЕНИЕ ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННЫХ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ (AlxGa1-x)2O3 ИЗ РАСПЛАВА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2022]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/9313