В работе отображены результаты исследования спектров фотолюминесценции (ФЛ) шести наногетероструктур с различным уровнем легирования на основе механически-напряженных InGaAs КЯ, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Были исследованы изменения спектров ФЛ наногетероструктур в зависимости от температуры и мощности оптической накачки, определена температурная стабильности ширины спектра ФЛ.

Ковач Я.Н. (науч. рук. Колодезный Е.С., Карачинский Л.Я.) Исследование полупроводниковых наногетероструктур вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1550 нм для создания генератора случайных чисел на их основе // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2022]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/9226