В настоящей работе представлены результаты аналитического и численного моделирования функциональных характеристик ультрафиолетового фотодиода с барьером Шоттки на основе эпитаксиального слоя Ga2O3. По результатам моделирования построены вольтамперная характеристика фотодиода и вольт-фарадная характеристика, хорошо согласующиеся с экспериментальными данными.
Иванов А.Ю., Иванов А.Ю., Ковач Я.Н., Агеев А.Е. (науч. рук. Петренко А.А., Кремлева А.В.) Исследование фотодиодных свойств барьера Шоттки на основе эпитаксиальных пленок Ga2O3 полученных методом ХГФЭ // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2022]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/8489