Статья

Иванов А.Ю., Иванов А.Ю., Ковач Я.Н., Агеев А.Е. (науч. рук. Петренко А.А., Кремлева А.В.) Исследование фотодиодных свойств барьера Шоттки на основе эпитаксиальных пленок Ga2O3 полученных методом ХГФЭ
УДК тезиса: 621.383.526

В настоящей работе представлены результаты аналитического и численного моделирования функциональных характеристик ультрафиолетового фотодиода с барьером Шоттки на основе эпитаксиального слоя Ga2O3. По результатам моделирования построены вольтамперная характеристика фотодиода и вольт-фарадная характеристика, хорошо согласующиеся с экспериментальными данными.

Авторы:

Иванов Андрей Юрьевич

Иванов Андрей Юрьевич

Ковач Яков Николаевич

Агеев Андрей Евгеньевич

Руководитель:

Петренко Артем Александрович, Кремлева Арина Валерьевна

Иванов А.Ю., Иванов А.Ю., Ковач Я.Н., Агеев А.Е. (науч. рук. Петренко А.А., Кремлева А.В.) Исследование фотодиодных свойств барьера Шоттки на основе эпитаксиальных пленок Ga2O3 полученных методом ХГФЭ // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2022]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/8489