В работе представлены результаты исследования спектральных характеристик гетероструктур n-InAs/InAs1-xSbx/p-InAsSbP в зависимости от состава активной области (0.07≤xInSb≤0.125) и температуры (4.2–300 К). Определено формирование гетероперехода II типа на гетерогранице InAsSb/InAsSbP с различной величиной разрывов энергетических зон для всех составов твёрдого раствора InAs1-xSbx. Рассмотрены основные каналы излучательной рекомбинации в гетероструктурах в зависимости от температуры.

Ружевич М.С., Семакова А.А. (науч. рук. Мынбаев К.Д.) Особенности электролюминесценции светодиодных гетероструктур InAs/InAsSb/InAsSbP // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2022]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/8248