В работе исследован механизм изменения электрических характеристик тонких халькогенидных пленок PbSe в результате фототермического воздействия непрерывного лазерного излучения. Показано, что в результате лазерного воздействия при интенсивности 76 Вт/см2 и скорости сканирования 150 мкм/с происходило изменение электрического сопротивления с 1.4 кОм до 1.2 кОм. После фототермического воздействия значение тока в модифицированной области повышалось на 62.8% по сравнению с исходной пленкой в отсутствии внешнего напряжения и на 40% при подаче напряжения 4 В.

Ольхова А.А., Патрикеева А.А. (науч. рук. Сергеев М.М.) Модификация электрических характеристик пленки PbSe лазерным излучением // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2022]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/7575