Проведено облучение электронами двухслойных пленочных структур, состоящих из пленок аморфных углерода и кремния. Показано, что электронное облучение приводит к модификации таких структур и формированию в облученной зоне кристаллического карбида кремния. Данный эффект может быть использован в электронике и оптоэлектронике.
Сивак А.И., Сидоров А.И., Лекс Е.Я. (науч. рук. Сидоров А.И.) Формирование карбид-кремния в двухслойной пленке углерод-кремний при электронном облучении // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2021]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/7156