Показано увеличение показателя преломления кристаллов теллурида и селенида цинка и изменение характера дисперсии в диапазоне 550-950 нм при изменении интенсивности излучения накачки от фемтосекундного лазера с длиной волны 800 нм от 4 до 50 ГВт/см2 до 40%. Приведены теоретические оценки и показано, что данные изменения определяются двухфотонным поглощением в полупроводниках и качественно описываются теоретической моделью с учётом нестационарности падающего электромагнитного поля.
Жукова М.О. (науч. рук. Цыпкин А.Н.) Изменение характера дисперсии показателя преломления кристаллов ZnTe и ZnSe при накачке интенсивным фемтосекундным лазерным излучением видимого и ближнего ИК диапазонов // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2020]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/3190