Проведено компьютерное моделирование процесса спекания термоэлектрического материала на основе сплавов Ge-Si. Получено значение давления в образце, усадки и увеличение размеров в радиальном направлении до 2% от исходного диаметра.

Тукмакова А.С., Кадыров А.Ш., Темуров Б. (науч. рук. Новотельнова А.В.) МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА УСАДКИ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ПРИ ИСКРОВОМ ПЛАЗМЕННОМ СПЕКАНИИ // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2019]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/2421