Присутствие дефектов несоответствия в полупроводниковых наногетероструктурах может приводить к деградации их функциональных свойств. Для определения критических условий зарождения дефектов несоответствия и предотвращения деградации функциональных свойств наногетероструктур необходимо решать граничные задачи теории упругости о полях напряжений несоответствия, возникающих в этих наногетероструктурах.

Гудкина Ж.В. (науч. рук. Гуткин М.Ю.) Напряжения несоответствия от дилатационного цилиндрического включения с поперечным сечением в форме кольцевого сектора в упругом клине // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2026]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/17639