Разработка энергонезависимой памяти с произвольным доступом — перспективное направление электроники, где данные хранятся за счет переключения сопротивления материала, а не заряда (как во флэш-памяти). ReRAM обеспечивает высокую плотность записи и долговечность, кодируя информацию через состояния низкого (LRS, «1») и высокого (HRS, «0») сопротивления. Ключевыми кандидатами для ReRAM являются металл-органические каркасы (МОК), чья структура снижает энергию формирования проводящих каналов, обеспечивая быстрое переключение. МОК превосходят традиционные материалы (оксиды, карбиды) благодаря структурной гибкости, дешевизне синтеза и адаптивности. В работе исследуются мемристивные свойства МОК с разными металлическими центрами для оптимизации стабильности переключения и энергопотребления

Мальцев Я.А., Ржевский С.С., Буев И.Д. (науч. рук. Любимова А.В.) Создание и исследование пленок металл-органических каркасов для применения в резистивной памяти с произвольным доступом (reram) // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2025]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/15918