Легирование кремнием полупроводниковых структур β-Ga2O3 позволяет изменять их электрофизические свойства (проводимость и подвижность носителей), что позволяет управлять характеристиками приборов. Работа посвящена исследованию влияния концентрации легирующей примеси на физические свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями β-Ga2O3. Эпитаксиальный рост слоев β-Ga2O3 легированных кремнием, проводился на подложках из объемного β-Ga2O3 методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Методом Ван-дер-Пау были получены значения электрофизических параметров образцов, такие как подвижность носителей заряда и проводимость. По результатам измерений уменьшение концентрации легирующей примеси приводит к повышению подвижности носителей заряда, но снижению проводимости структуры.

Ефимов А.О. (науч. рук. Бауман Д.А.) Легирование кремнием эпитаксиальных слоев оксида галлия // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2025]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/14959