Твердые растворы теллуридов кадмия-ртути (CdxHg1-xTe, КРТ), — основной материал, применяемый при изготовлении приборов инфракрасной (ИК) фотоэлектроники, материал состава x ≈ 0.7, востребован для создания лазерных структур и nBn фотоприемников. Исследовались эпитаксиальные пленки КРТ толщиной d = 3 мкм, выращенные на подложках (013)GaAs с буферными слоями ZnTe и CdTe, как нелегированные, так и легированные индием (донорная примесь; концентрация электронов, по данным исследования эффекта Холла, от ~1016 см-3 до ~1018 см-3). Установлено, что сильное легирование индием приводит к возникновению примесных состояний, проявляющихся на спектрах низкотемпературной ФЛ. Большое содержание индия также повышает разупорядочение в эпитаксиальных пленках после термического отжига.

Ружевич М.С., Балашов В.С. (науч. рук. Мынбаев К.Д.) Термический отжиг эпитаксиальных пленок cd0.7hg0.3te, легированных индием // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2025]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/14479