Наше исследование посвящено получению тонких пленок с мемристивными свойствами на границе раздела eGaIn/гидрогель. При приложении разности потенциалов образуется нерастворимая пленка из оксида галлия и соли. Мы обнаружили, что тонкая пленка, полученная на границе раздела фаз гидрогеля с нитратом меди (II) с концентрацией 0,1М при приложении напряжения 1 В, обладает мемристивными свойствами. Сканирующая электронная микроскопия показала наличие в этой пленке частиц меди, что создает ее магнитопроводность. В режиме постоянного тока пленка продемонстрировала биполярное поведение и непрерывное распределение состояний сопротивления, что свидетельствует об улучшении сохранения данных. Это позволяет использовать мемристорные устройства на основе eGaIn в нейроморфных системах на гибких носителях.

Лобач А.С., Лаврентьев Ф.В. (науч. рук. Скорб Е.В.) Получение тонкоплёночных мемристоров на основе egain и исследование их свойств // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2025]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/14130