Сегодня развитие рынка ЭКБ, особенно дискретных полупроводниковых компонентов, дает несомненный толчок в области повышения энергоэффективности импульсных источников питания. Так, например, применение SiC и GaN полупроводниковых компонентов в схемах резонансной и квазирезонансной топологи преобразователей позволяет достичь КПД устройства в номинальных режимах, как правило максимальной нагрузки, порядка 95-98%. Исходя из структуры системы управления современных преобразователей основные потери КПД происходят в силовых цепях, а также из-за потребления электроэнергии для обеспечения собственных нужд (работа системы управления). Применение современных компонентов и решений позволяет проектировать энергоэффективные устройства, которые сохраняют высокий КПД даже при малых значениях нагрузки.

Третьяков Н.К. (науч. рук. Кузнецов В.Е.) Проектирование энергоэффективных импульсных источников питания // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2025]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/14041