В данной работе был получен прототип мемристора 2-ого порядка на основе структуры HKUST-1/MAPbI3/SnO2/ITO. Исследования показали мемристивное поведение и отклик на освещенность, что позволяет записывать не менее трех состояний. Результаты свидетельствуют о потенциале гибридных структур в системах обработки данных.
Любимова А.В., Фурасова А.Д. (науч. рук. Бачинин С.В.) Мемристор второго порядка на основе структуры HKUST-1/MAPbI3/SnO2/ITO // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2024]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/13731