В данной работе рассматривается простой и недорогой способ безмасочного травления Gе2Sb2Te5 на различных подложках. Были определены параметры лазерной установки для перевода материала из аморфного в кристаллическое состояние и параметры травления образца для удаления аморфной фазы. Мы обнаружили, что пики интенсивности спектра рассеяния полученных 1D структур смещаются в коротковолновую область при реаморфизации GST.
Шмидт И. (науч. рук. Синельник А.Д.) Селективное безмасочное травление Gе2Sb2Te5 // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2024]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/13655