Светодиодные гетероструктуры (ГС), излучающие в среднем инфракрасном (ИК) диапазоне длин волн (2-6 мкм), широко используются для решения задач газоанализа в промышленности, медицинской диагностике и экологическом мониторинге. ИК светодиодные структуры часто изготавливаются на основе гетероструктур InAs(1-y)Sb(y)/InAsSbP, выращиваемых на подложке InAs. Увеличение y одновременно ведёт к росту разрывов энергетических зон на гетерогранице, а также к возможному изменению химического состава широкозонного барьерного слоя из InAsSbP. Как следствие, по мере увеличения y возможно изменение типа гетероперехода InAs1-ySby/InAsSbP с I-го на II-ой и появление дополнительных каналов рекомбинации, в том числе интерфейсных. Проанализированы вольт-амперные характеристики и спектры электролюминесценции ГС.
Кириленко Я.Д., Ружевич М.С. (науч. рук. Мынбаев К.Д.) СТИМУЛИРОВАННАЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ I и II типа InAs(1-x)Sbx/InAsSbP // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2024]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/13303