В данной работе проведены исследования структурных, оптических и электрических свойств планарных микро-хлопьев оксида галлия: Ga2O3 и Ga2O3/графен, проведено сравнение со структурами Ga2O3/4H-SiC Ga2O3/графен - 4H-SiC. Выявлено, что напряжения, возникающие в процессе роста методом ХГФЭ, могут вызывать отслоение эпитаксиального слоя и формирование микро-хлопьев Ga2O3. Исследование показало потенциальное применение структур Ga2O3 и Ga2O3/графен в различных областях электроники, включая использование графена в прозрачных контактах, диодах Шоттки и фотодиодах глубокого УФ-диапазона. Изучение свойств структуры Ga2O3 имеет важное значение для разработки новых устройств и технологических решений в области электроники, оптики и нанотехнологии.
Иванов А.Ю. (науч. рук. Романов А.Е.) ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ МИКРО-ХЛОПЬЕВ ОКСИДА ГАЛЛИЯ // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2024]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/13064