В данной исследовательской работе проводится моделирование процессов рекомбинации в сильнонапряженной квантовой яме на основе InGaAs/GaAs (мольная доля индия более 30%) для дальнейшей оценки времени безызлучательной рекомбинации. Для оценки времени безызлучательной рекомбинации были экспериментально получены интегральные интенсивности фотолюминесценции при различных температурах, которые сравниваются с суммарными токами излучательной рекомбинации, вычисленными для разных времен безызлучательной рекомбинации. Сравнивая положения экспериментальной и теоретических кривых возможно оценить время безызлучательной рекомбинации в структуре.

Ефимов А.О. (науч. рук. Новиков И.И.) Исследование рекомбинационных процессов в сильнонапряженных квантовых ямах на основе InGaAs/GaAs // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2024]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/12612