Обсуждается исследование образцов карбида кремния гексагонального политипа методами фотолюминесценции, рамановского рассеяния и оптически-детектируемого магнитного резонанса. Объясняется процесс имплантации вакансионных центров в образцы карбида кремния и мотивация использования таких центров в качестве сенсоров магнитного поля, совмещая образцы карбида кремния с атомно-силовой микроскопией.
Учаев М.В. (науч. рук. Дунаевский М.С.) РАЗРАБОТКА СЕНСОРОВ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ОСНОВЕ НАНОЧАСТИЦ SiC ГЕКСАГОНАЛЬНОГО ПОЛИТИПА, СОВМЕЩЕННЫХ С АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИЕЙ // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2024]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/12314