Введение. Сенсорные системы на основе волоконно-оптических решеток Брэгга обладают высокой стоимостью, которая обусловлена сложностью и дороговизной блока опроса. Метод. В работе демонстрируется применение стандартного телекоммуникационного полупроводникового лазерного диода с распределенной обратной связью, использующегося в качестве приемо-передатчика излучения, для детектирования спектрального отклика от ВБР. Основные результаты. Получена амплитудно-частотная характеристика лазерного диода в фотовольтаическом режиме, полоса пропускания превышает 300 МГц. Измеренный темновой ток в фотоэлектрическом режиме составляет 12,5 пА. Лазерный диод в фотовольтаическом режиме обладает чувствительностью 0,1 А/Вт, в диапазоне длин волн 1540-1560 нм.
Ошлаков В.С., Смирнов Д.С., Волковский С.А. (науч. рук. Алейник А.С.) Исследование характеристик полупроводникового DFB лазера в фотогальваническом режиме // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2024]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/12246