В работе представлены результаты исследования нового подхода к пробоподготовке образцов кристалла объемного оксида галлия при помощи воздействия лазерным излучением. Продемонстрирована принципиальная возможность деления кристалла оксида галлия в разных направлениях, не зависимо от внутренней структуры ориентации атомов и их связей в кристаллической решётке. Продемонстрирована возможность обработки материала при помощи гармонического осцилляторного колебания лазерного луча, подобраны оптимальные амплитуды и периодичность колебания, а также энергетические характеристики лазерного источника и фокусирующей оптической системы.
Спиридонов В.А., Панов Д.Ю. (науч. рук. Романов А.Е.) Лазерная обработка объемного кристалла β-Ga2O3 // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2024]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/12015