В данном докладе представлено исследование механизма генерации трибоэлектрических зарядов, а также определение влияния плотности поверхностных состояний, типа и уровня легирования исследуемых образцов полупроводников A3B5 и Si, а также материала зонда на эффективность трибоэлектрической генерации. Было определено, что полупроводники группы A3B5 имеют на 1-2 порядка большую плотность тока, а также что полярность трибоэлектрического тока определяется соотношением работы выхода зонда и положением поверхностного закрепления уровня Ферми.

Малых Д.А. Образование трибоэлектрических зарядов при контакте металл-полупроводник // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2023]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/11611