В данной работе представлен анализ наиболее эффективных вариантов пассивации поверхности InGaAs/InAlAs ЛФД с меза-структурой, раскрытых в научно-технической литературе. Приведены результаты разработки технологического процесса изготовления кристаллов ДОФ на основе лавинных фотодиодов AlInAs/InGaAs с пассивацией поверхности методом сульфидизации с последующей защитой слоем полиамида, топология которых оптимизирована под возможность монтажа методом перевернутого кристалла (flip-chip). Продемонстрированы результаты отработки процесса травления меза-структуры, технологической процедуры
Копытов П.Е., Ковач Я.Н., Андрюшкин В.В. (науч. рук. Колодезный Е.С.) Методы пассивации поверхности лавинных фотодиодов AlInAs/InGaAs с меза-структурой // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2023]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/11397