Исследована зависимость глубины формирования радиационных дефектов в двойной гетероструктуре Al0.18Ga0.82As/GaAs от энергии ионов при прямой ионно-лучевой литографии в диапазоне 12−30 кэВ. Экспериментальные и расчётные данные показывают, что с увеличением энергии ионов увеличивается концентрация и глубина распространения радиационных дефектов. При изменении энергии ионов от 15 до 30кэВ не изменяет скорость травления. Показано, что низкотемпературный отжиг позволяет удалить аморфизированный поверхностный слой без восстановления радиационных дефектов. Обнаружено, что при ионно-лучевой литографии с энергиями ионов более 15 кэВ реальная глубина формирования радиационных дефектов отличается от рассчитанной в программе SRIM и составляет более 900 нм.

Григоренко И.Н., Митрофанов М.И., Лила А.С. (науч. рук. Вознюк Г.В.) Влияние прямой ионно-лучевой литографии в диапазоне энергий ионов 12-30 кэВ на фотолюминесценцию гетероструктуры Al0.18Ga0.82As/GaAs // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2023]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/11078