В настоящей работе теоретически и численно исследовано увеличение радиационного времени жизни экситонов в двумерных монослоях дихалькогенидов переходных металлов (ДПМ), интегрированных в диэлектрические фотонные структуры, за счет изменения относительного положения монослоя и модификации локальной плотности оптических состояний. Была построена аналитическая модель слабой связи между экситонами в монослоях ДПМ и утекающими модами диэлектрического волновода, благодаря чему были найдены условия, при которых радиационное время жизни экситонов может быть увеличено в n² раз. Кроме того, было рассмотрено взаимодействие экситонов с периодической метаповерхностью, и в этом случае радиационное время жизни экситонов может превышать предел, полученный для волновода, более чем на один порядок.

Пантюхина П.А. (науч. рук. Кошелев К.Л.) Увеличение радиационного времени жизни экситонов в двумерных Ван-дер-Ваальсовых гетероструктурах // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2023]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/10704