Ga2O3 (β-Ga2O3) перспективен в силовой электронике благодаря своей широкой запрещённой зоне. Однако получение гомогенных тонких плёнок β-Ga2O3 всё ещё остаётся первоочередной задачей. В данной работе были получены тонкие плёнки Ga2O3 (β-Ga2O3) методом золь-гель на сапфировых и кварцевых подложках. Фазовый состав, морфология поверхности и оптические свойства плёнок были охарактеризованы методами рентгеновской дифракции (XRD), спектрофотомерии и сканирующей электронной микроскопии (SEM). Результаты показали, что плёнки β-Ga2O3 удовлетворительного кристаллического качества могут быть сформированы золь-гель методом. Все образцы показали высокое пропускание в диапазоне с длиной волны выше 300 нм, а энергия запрещенной зоны варьировалась от 4,35 до 5,12 эВ.
Вронский М.К., Кремлева А.В., Иванов А.Ю. (науч. рук. Сокура Л.А., Бауман Д.А.) Получение методом золь-гель и исследование структурных свойств тонких пленок бета-фазы оксида галлия // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2023]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/10272