Оксид галлия является перспективным широкозонным полупроводником, обладающим широкими возможностями использования в различных оптоэлектронных устройствах. Актуальными для применения в устройствах оптоэлектроники являются не только объемные кристаллы и эпитаксиальные пленки оксида галлия, но также и нано- и микрочастицы, обладающие высокой фотокаталитической активностью. В данной работе частицы β-Ga2O3 были синтезированы в результате взаимодействия водного раствора нитрата галлия и различных щелочей: водных растворов аммиака (NH3), гидроксида натрия (NaOH), гидроксида калия (KOH) и гидроксида лития (LiOH). В результате исследования были получены частицы с различной морфологией и показана зависимость формы и размера частиц от типа и концентрации щелочи.
Рябкова Е.А., Иванов А.Ю., Дорогов М.В., Сокура Л.А. (науч. рук. Романов А.Е., Сокура Л.А.) Химический синтез дисперсных частиц бета-Ga2O3 с различной морфологией // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2023]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/10271