В последние десятилетия галогенидные перовскиты широко изучаются как материал для оптоэлектроники и фотовольтаики. Одним из ключевых параметров, определяющих работоспособность устройств на основе этого материала, является внешний квантовый выход люминесценции перовскита. Контроль над квантовым выходом ранее был продемонстрирован с помощью инженерии дефектов, генерации и пассивации или оптимизации морфологии. Однако полностью управляемого переключения квантового выхода люминесценции в галогенидных перовскитах до сих пор показано не было. В данной работе мы демонстрируем возможность многократного переключения интенсивности фотолюминесценции галогенидных перовскитов с помощью материала с фазовым переходом Ge2Sb2Te5 (также известного как GST).
Кущенко О.М., Рыбин М.В., Гец Д.С. (науч. рук. Синельник А.Д.) Управление интенсивностью фотолюминесценции галогенидных перовскитов с помощью GST // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2023]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/10248