В настоящее время одним из активно развивающихся направлений оптоэлектроники и силовой электроники являются исследования в области широкозонных полупроводниковых материалов, таких как карбид кремния (SiC), нитрид галлия (GaN), оксид галлия (Ga2O3). Оксид галлия менее изучен, чем SiC и GaN, и отличается от них большей шириной запрещенной зоны и высоким значением критического поля пробоя, что делает его наиболее интересным для исследований и перспективным для создания оптоэлектронных полупроводниковых приборов.
Иванов А.Ю., Дмитриев А.А. (науч. рук. Кремлева А.В., Смирнов А.М.) Оптическая характеризация эпитаксиальных пленок Ga2O3 // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2023]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/10227