В настоящей работе исследуются упругие свойства (деформации и механические напряжения) полусферического включения с дилатационной собственной деформацией, расположенного в изотропном упругом полупространстве. Полученные результаты для полей деформаций и напряжений используются для оценки влияния упругого поля включения на зонную структуру и электронные свойства полупроводникового материала на примере GaN.
Нгуен В. (науч. рук. Романов А.Е.) Упругое поле полусферических включений нанометрового размера в изотропном упругом полупространстве и его влияние на электронные свойства материалов // Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2023]. URL: https://kmu.itmo.ru/digests/article/10004